ما در این مقاله با استفاده از یک مدل بستگی قوی، روش ماتریس انتقال و الگوریتم Lanczos، ماهیت حالتهای الکترونی و گسیل الکترون در زنجیرهای مدل فیبوناچی نوع جایگاهی، پیوندی و مخلوط را به صورت عددی بررسی می کنیم. برای مطالعه خواص رسانشی این سیستمها روش لانداور (Landauer) را به کار می بریم. با محاسبه نمای لیاپانوف (Lyapunov exponent) خواص جایگزیدگی ویژه حالتهای الکترونی را نیز در زنجیرهای فیبوناچی مطالعه می کنیم. توجه ما متمرکز بر پیدا کردن رابطه مهم بین طیفهای گسیل و ماهیت حالتهای الکترونی می باشد. برخلاف قضیه جایگزیدگی آندرسن، نتایج ما نشان می دهند که در زنجیرهای فیبوناچی حالتهای الکترون، جایگزیده نیستند و حالتهای شفاف الکترونی در نزدیکی تراز فرمی سیستم رخ می دند.

خواص ساختاری الکترونی بلور کلسیم سولفید با استفاده از روش FP-LAPW محاسبه شده است. برای انجام محاسبات از تقریبهای چگالی موضعی (LDA) و شیب تعمیم یافته (GGA) برای جمله تبادلی همبستگی استفاده شده است. خواص ساختاری حالت زمینه برای فازهای اول (ساختار نمک طعام) و دوم (ساختار کلرید سزیم) بررسی شد. مقادیر بدست آمده از جمله پارامتر تعادلی شبکه، مدول تراکمی، مشتق مدول تراکمی نسبت به فشار و فشار گذار، سازگاری خوبی با نتایج تجربی دارند. خواص الکترونی برای هر دو فاز مورد بررسی قرار گرفت. مقدار گاف انرژی محاسبه شده مانند محاسبات دیگران که بر نظریه تابعی چگالی استوار است کوچکتر از مقدار تجربی بدست آمد. این اختلاف ناشی از نادیده گرفتن ناپیوستگی در پتانسیل تبادلی همبستگی در محاسبات مبتنی بر نظریه تابعی چگالی است. انگل و وسکو پتانسیل تبادلی دقیق را برای چند اتم، با استفاده از مدل پتانسیل بهینه شده، بدست آوردند و سپس با استفاده از رابطه ویریال پتانسیل تبادلی همبستگی جدید EV-GGA را ارایه کردند. با به کار بردن پتانسیل تبادلی همبستگی جدید گاف انرژی بدست آمده به تجربه نزدیک تر شد. در نهایت در مورد امکان وجود فاز سوم (ساختار بلند روی) در این بلور تحقیق کردیم.

در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می شود. سپس با ارایه یک مدل مداری برای آن، برای بسامدهای مختلف جریان نانولوله محاسبه می شود. نتایج نظری حاصل از این تحقیق، برای طراحی ادوات نانوالکترونیکی، مفید است.

در این مقاله، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی یکی از جدیدترین دگر شکل های کربنی برمبنای نظریه تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k بررسی شده است. نتایج ما نشان می دهند که این ساختار از نظر الکترونی و مغناطیسی، با داشتن گاف انرژی ای در حدود 2/2 الکترون-ولت و گشتاور مغناطیسی کل 0013/0 مگنتون بوهر به ازای هر سلول یکه، تقریبا یک نیمه رسانای غیر مغناطیسی است. همچنین، از نظر خواص اپتیکی نیز، تغییرات تعدادی از پارامترهای اپتیکی مانند ثابت دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی و بازتاب پذیری برحسب تغییرات انرژی مورد مطالعه قرار گرفته است. خواص اپتیکی نشان می دهند که اگر این دگرشکل در فناوری پیل خورشیدی مورد استفاده قرار گیرد، بازدهی آن در انرژی های پایین، بهتر خواهد بود؛ چون تابع اتلاف انرژی و بازتاب پذیری آن کمینه خواهد شد.

هدف این پژوهش بررسی این موضوع است که آیا ساخت نانو نوارها یا ایجاد ساختارهای ناهمگون می تواند عاملی برای باز شدن گاف نوار الکترونی این ترکیب باشد یا خیر. این کار در چارچوب نظریه تابعی چگالی با تقریب‌های نظیر PBE و LDA مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات توسط روش امواج تخت بهبودیافته و با نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو انجام شده است. گونه جدیدی از شبکه‌های گرافن گونه هگزاگونالی با پیوند sp2 شامل عناصر Si ،B و N نیز وجود دارد که دارای پیوند کووالانسی درون لایه‌ای و پیوند واندروالسی میان لایه‌ای هستند. خواص ساختاری، الکترونی ترکیب  Si2BN دلالت بر رفتار فلزی این ترکیب دارد. از آنجایی که حرکت الکترون‌ها در Si2BN سرعت بالایی دارد، این ویژگی در تولید آند بسیار مفید است. ترکیب این ویژگی‌ها موجب می‌شود ‌تا نفوذ یون در آن به خوبی انجام شده و از آن بتوان برای تولید باتری استفاده کرد. شارژ و تخلیه در این آند‌ها، با سرعت بالایی انجام می‌شود. نتایج شبیه‌سازی‌ها و محاسبات این پژوهش می‌تواند به محققان کمک کند تا از این ماده برای ساخت آند باتری استفاده کنند.

در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به بررسی ترابرد الکترونی یک سامانه چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار می کند. هم چنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونلزنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بسته به مقدار انرژی الکترون ورودی به خصوص در لبه گاف ها، تونلزنی الکترونی راحت تر صورت می گیرد. ظهور دره ها به دلیل وجود تداخل ویران گر توابع موج الکترونی در مسیرهای حلقوی است. در حالی که پیدایش قله ها را می توان به ایجاد شبه حالت های جدید در داخل گاف انرژی سامانه به دلیل وجود اتم های مس مربوط دانست.

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.